GaAs/AlGaAs短周期超晶格中的浅受主发光

首次研究了短周期超晶格中与浅受主有关的发光。测得的杂质束缚能与最新的理论计算结果符合很好,表明相邻阱间的强耦合对杂质束缚能具有重要影响。测量的非本征发光的寿命与本征发光的寿命基本相同,但远小于量子阱中的杂质发光寿命。短周期超晶格中杂质发光寿命变小,是由于在异质结界面存在大量的界面态,以及因材料无序而产生的局域态所致。