%0 Journal Article
%T GaAs/AlGaAs短周期超晶格中的浅受主发光
%A 罗昌平
%A 许继宗
%A 徐仲英
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 首次研究了短周期超晶格中与浅受主有关的发光。测得的杂质束缚能与最新的理论计算结果符合很好,表明相邻阱间的强耦合对杂质束缚能具有重要影响。测量的非本征发光的寿命与本征发光的寿命基本相同,但远小于量子阱中的杂质发光寿命。短周期超晶格中杂质发光寿命变小,是由于在异质结界面存在大量的界面态,以及因材料无序而产生的局域态所致。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=245BD9D74C68EF24&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=E158A972A605785F&sid=80BD0A2EF8664214&eid=0F7768518993EDDE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0