高温热处理对SiGe:GaP中电子散射机构的影响

通过测量材料的塞贝克系数和电阻率随温度的变化,首先可以判断出测量是否处于载流子浓度的饱和温区,进而能够导出在该饱和温区上载流子的迁移率随温度的变化关系、对高温热处理前后迁移率-温度关系的实验研究表明:SiGe:GaP中电子-声子散射经高温热处理后得到相对增强。