%0 Journal Article
%T 高温热处理对SiGe:GaP中电子散射机构的影响
%A 高敏
%A D.M.Rowe
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 通过测量材料的塞贝克系数和电阻率随温度的变化,首先可以判断出测量是否处于载流子浓度的饱和温区,进而能够导出在该饱和温区上载流子的迁移率随温度的变化关系、对高温热处理前后迁移率-温度关系的实验研究表明:SiGe:GaP中电子-声子散射经高温热处理后得到相对增强。
%K 化合物半导体
%K SiGe：GaP
%K 热处理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FDD87D82E27E56C9&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=06F643376BC2509E&eid=9BF3B0483F192149&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2