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半导体学报 2002
Vacancy-Type Defects in Nitrogen-Doped Silicon
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Abstract:
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids相关的流水花样缺陷 (FPD)沿晶体轴向的分布 ,然后在 10 5 0～ 12 5 0℃下 Ar气中退火不同时间 .实验结果表明在掺氮直拉硅中与较大尺寸 voids相关的 FPD缺陷的密度大量减少 ,其体内这种 FPD缺陷的退火行为与不掺氮直拉硅一样 ,在高温下才能被有效的消除 .这表明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸的 voids的产生 ,而且掺氮硅中 voids的内壁也有氧化膜存在
