%0 Journal Article
%T Vacancy-Type Defects in Nitrogen-Doped Silicon<br>微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷
%A Yu Xuegong
%A Yang Deren
%A Ma Xiangyang
%A Li Liben
%A Que Duanlin
%A <br>余学功
%A 杨德仁
%A 马向阳
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids相关的流水花样缺陷 (FPD)沿晶体轴向的分布 ,然后在 10 5 0～ 12 5 0℃下 Ar气中退火不同时间 .实验结果表明在掺氮直拉硅中与较大尺寸 voids相关的 FPD缺陷的密度大量减少 ,其体内这种 FPD缺陷的退火行为与不掺氮直拉硅一样 ,在高温下才能被有效的消除 .这表明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸的 voids的产生 ,而且掺氮硅中 voids的内壁也有氧化膜存在
%K Czochralski silicon
%K nitrogen doping
%K vacancy
%K type defects<br>直拉硅
%K 掺氮
%K 空洞型缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=990B0B8A0E77D18E&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=F7C51083F4D893E5&eid=646D2C4F03762FE5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=17