CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究

本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成．它们具有两个起因，其中能量较低的一个是ＣｕＣｄ，另一个与Ｃｄ空位ＶＣｄ有关．