%0 Journal Article
%T CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究
%A 杨柏梁
%A 石川幸雄
%A 一色实
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成．它们具有两个起因，其中能量较低的一个是ＣｕＣｄ，另一个与Ｃｄ空位ＶＣｄ有关．
%K 碲化镉
%K 单晶
%K 发光峰
%K 实验
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C5CD41F404220D0F&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=E5D85F291CED2DA6&eid=4AB4178709047BE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3