氮化镓缓冲层生长过程分析

研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响．提出了生长过程的微观模型，解释了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ缓冲层过程中观察到的现象．