%0 Journal Article
%T 氮化镓缓冲层生长过程分析
%A 刘祥林
%A 汪连山
%A 陆大成
%A 王晓晖
%A 汪度
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响．提出了生长过程的微观模型，解释了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ缓冲层过程中观察到的现象．
%K 氮化镓
%K 缓冲层生长
%K 生长过程
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F4DD61239C903E8A&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=2A2AA8B7E19F0DF7&eid=FF58680609C9D068&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=1