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半导体学报 2002
Electronic Theory Study of Impurities'''' Influence on Si Crystal Mechanical Performance
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Abstract:
根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂 6 0°位错模型 ,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂 6 0°位错这种典型环境下的能量和电子结构 ,由此得出 :N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定 ,且O优先偏聚于位错 ,不过当O含量不高时 ,N、O可以同时偏聚于位错 ;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外 ,还要受到杂质原子的钉扎作用 ,且N的这种作用比O强 ,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实 .
