%0 Journal Article
%T Electronic Theory Study of Impurities'''' Influence on Si Crystal Mechanical Performance<br>杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究
%A Zhang Guoying
%A Liu Guili
%A <br>张国英
%A 刘贵立
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂 6 0°位错模型 ,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂 6 0°位错这种典型环境下的能量和电子结构 ,由此得出 :N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定 ,且O优先偏聚于位错 ,不过当O含量不高时 ,N、O可以同时偏聚于位错 ;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外 ,还要受到杂质原子的钉扎作用 ,且N的这种作用比O强 ,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实 .
%K ?dislocation
%K Recursion method
%K electronic structures
%K interaction between impurities and dislocation<br>60°位错
%K Recursion方法
%K 电子结构
%K 杂质对位错的钉扎作用
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4683D8B23E2355EC&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=A586B761C9AA2FAA&eid=27350781F1397F32&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=6&reference_num=9