GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱

本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构，这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起．研究表明这种微分光谱具有简单易行，不破坏样品等特点，并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度．