%0 Journal Article
%T GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱
%A 戴宁
%A 冯金福
%A 张雷
%A 陈良尧
%A 陆卫
%A 刘兴权
%A 仲嘉林
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构，这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起．研究表明这种微分光谱具有简单易行，不破坏样品等特点，并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度．
%K 半导体
%K 砷化镓
%K 热微分反射光谱
%K 镓铝砷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5D6C31ADB2069E67&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=385E3C2062167B88&eid=CF0706A3E35031F6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2