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半导体学报 2002
High Linearity GaAs Hall Devices Fabricated by Epitaxial Growth and Ion Implantation
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Abstract:
讨论了外延及注入制作的薄层 Ga As Hall器件如何获得高的磁线性度 .Ga As Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离 ,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿 ,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中 ,可以得到在 2 .5 T的强磁场下 ,± 0 .0 4 %的高磁线性度
