%0 Journal Article
%T High Linearity GaAs Hall Devices Fabricated by Epitaxial Growth and Ion Implantation<br>高线性度外延及注入GaAs Hall器件
%A Zheng Yiyang
%A <br>郑一阳
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 讨论了外延及注入制作的薄层 Ga As Hall器件如何获得高的磁线性度 .Ga As Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离 ,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿 ,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中 ,可以得到在 2 .5 T的强磁场下 ,± 0 .0 4 %的高磁线性度
%K Hall器件
%K 有源区及过渡区分布
%K 2
%K 5T磁场下±0
%K 04%的高磁线性度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E8109BDA0E0508D5&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=42D7028D961473F8&eid=37F781FD8E744761&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3