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ISSN: 2333-9721
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Cs/InP(100)界面相互作用性质的研究

Keywords: ,磷化铟,半导体界面,相互作用

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Abstract:

我们用X光电子能谱(XPS)和真空紫外光电子能谱(UPS)研究了碱金属Cs/InP(100)界面形成和电子结构特性.XPS和UPS测量表明,在Cs的覆盖度低于0.5ML时,Cs与衬底InP之间既没有化学反应也没有扩散.当Cs的覆盖度大于0.5ML时,In和P开始向表面扩散,且Cs与P发生弱的化学反应.饱和吸附的Cs/InP(100)界面在不同温度退火时,一部分Cs脱附,一部分仍留在InP体内.

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