%0 Journal Article
%T Cs／InP（100）界面相互作用性质的研究
%A 徐世红
%A 徐彭寿
%A 刘先明
%A 朱警生
%A 麻茂生
%A 张裕恒
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 我们用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和真空紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了碱金属Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面形成和电子结构特性．ＸＰＳ和ＵＰＳ测量表明，在Ｃｓ的覆盖度低于０．５ＭＬ时，Ｃｓ与衬底ＩｎＰ之间既没有化学反应也没有扩散．当Ｃｓ的覆盖度大于０．５ＭＬ时，Ｉｎ和Ｐ开始向表面扩散，且Ｃｓ与Ｐ发生弱的化学反应．饱和吸附的Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面在不同温度退火时，一部分Ｃｓ脱附，一部分仍留在ＩｎＰ体内．
%K 铯
%K 磷化铟
%K 半导体界面
%K 相互作用
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FE3AD82F2825E54FA6B3DC5B45EEC3E&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=45D68DF69BA881EC&eid=95780E43ADDDE2AA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1