MOVPE生长GaN的准热大学模型及其相图

本文基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析，并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图．GaN的MOVPE相图由GaN（s）单凝聚相区、GaN（s）＋Ga（1）双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成．本文着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH3分解率和V／Ⅲ比对GaN单凝聚相区边界的影响．