%0 Journal Article
%T MOVPE生长GaN的准热大学模型及其相图
%A 段树坤
%A 陆大成
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析，并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图．GaN的MOVPE相图由GaN（s）单凝聚相区、GaN（s）＋Ga（1）双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成．本文着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH3分解率和V／Ⅲ比对GaN单凝聚相区边界的影响．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3C5FACF143BC62D1&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=44FDB9366EDDFA2B&eid=A22854835F81B3F8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0