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ISSN: 2333-9721
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半导体学报 1997

在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT

邹德恕,陈建新,沈光地,高国,杜金玉,张时明,袁颖,王东凤,邓军,W．X．Ni,G．V．Hansson

Keywords: 液氮温度,硅双极晶体管,增益,设计

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Abstract:

本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．

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