%0 Journal Article
%T 在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT
%A 邹德恕
%A 陈建新
%A 沈光地
%A 高国
%A 杜金玉
%A 张时明
%A 袁颖
%A 王东凤
%A 邓军
%A W．X．Ni
%A G．V．Hansson
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
%K 液氮温度
%K 硅双极晶体管
%K 增益
%K 设计
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6B6E0685166C3B95&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=4C2B9916B58305BE&eid=0918129209B14F3E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=1