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半导体学报 2005
Temperature Dependence of Oscillation Wavelength in 808nm InGaAsP SQW Lasers
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Abstract:
采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究. 用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性. 实验表明，激射波长的漂移系数dλ／dT是特征温度T0的函数. T0越高，激射波长的温度依赖性越大. 特征温度T0与透明电流Itr下的特征温度TItr相等时，激射波长的漂移系数dλ／dT达到最大值，该值由发热诱使带隙窄化dλg／dT决定. 解决高特征温度T0与小的dλ／dT矛盾的一种可能是考虑温度不依赖的漏电流.
