%0 Journal Article
%T Temperature Dependence of Oscillation Wavelength in 808nm InGaAsP SQW Lasers<br>808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性
%A Zhang Yongming
%A Zhong Jingchang
%A Lu Guoguang
%A Qin Li
%A Zhao Yingjie
%A Hao Yongqin
%A and Jiang Xiaoguang
%A <br>张永明
%A 钟景昌
%A 路国光
%A 秦莉
%A 赵英杰
%A 郝永芹
%A 姜晓光
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究. 用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性. 实验表明，激射波长的漂移系数dλ／dT是特征温度T0的函数. T0越高，激射波长的温度依赖性越大. 特征温度T0与透明电流Itr下的特征温度TItr相等时，激射波长的漂移系数dλ／dT达到最大值，该值由发热诱使带隙窄化dλg／dT决定. 解决高特征温度T0与小的dλ／dT矛盾的一种可能是考虑温度不依赖的漏电流.
%K SQW laser
%K 808nm
%K InGaAsP
%K temperature characteristics<br>单量子阱激光器
%K 808nm
%K InGaAsP
%K 温度特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B63E6D92F8C489B2&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=3F94E028184E4B65&eid=3CF1C8D14DE283F7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12