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半导体学报 2005
AlGaN/GaN HFET with Transconductance of over 325mS/mm
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Abstract:
报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能. 器件栅采用场板结构，其中栅长为0.3μm，场板长为0.37μm，源漏间距为3μm. 器件的饱和电流密度为0.572A/mm，最大漏电流密度为0.921A/mm，最大跨导为325mS/mm，由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.
