%0 Journal Article
%T AlGaN/GaN HFET with Transconductance of over 325mS/mm<br>跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件
%A Zhang Zhiguo
%A Yang Ruixia
%A Wang Yong
%A Feng Zhen
%A and Yang Kewu
%A <br>张志国
%A 杨瑞霞
%A 王勇冯震
%A 杨克武
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能. 器件栅采用场板结构，其中栅长为0.3μm，场板长为0.37μm，源漏间距为3μm. 器件的饱和电流密度为0.572A/mm，最大漏电流密度为0.921A/mm，最大跨导为325mS/mm，由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.
%K AlGaN/GaN
%K HFET
%K transconductance
%K DC characteristic
%K field plate<br>AlGaN/GaN
%K HFET
%K 跨导
%K 直流特性
%K 场板
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0AAA03658116B361&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=2FA47D7E22372F11&eid=2326CE64312F50FD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11