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ISSN: 2333-9721
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超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性

Keywords: BICFET,增益,场效应晶体管,多晶硅,发射极

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Abstract:

研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．

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