%0 Journal Article
%T 超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性
%A 郭维廉
%A 宋玉兴
%A M．A．Green
%A M．K．Morvvej－Farshi
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．
%K BICFET
%K 增益
%K 场效应晶体管
%K 多晶硅
%K 发射极
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DE0561A3B4D497D2&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=11CEECA6DA9E4AC5&eid=6490F0E20C4B41AD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2