CO_2离化团束对Si基板表面的辐照效应

利用RBS和椭圆仪分析对CO2离化团束引起的硅表面的损伤进行了研究．实验发现，采用大尺寸团束照射，损伤程度小而且损伤层薄；团束尺寸越大，越容易形成低损伤的氧化层；随剂量增大，损伤部分发生氧化的比例增加，而且在单晶Si基板上经过极薄的过渡区形成氧化层．