%0 Journal Article
%T CO_2离化团束对Si基板表面的辐照效应
%A 田民波
%A 山田公
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 利用RBS和椭圆仪分析对CO2离化团束引起的硅表面的损伤进行了研究．实验发现，采用大尺寸团束照射，损伤程度小而且损伤层薄；团束尺寸越大，越容易形成低损伤的氧化层；随剂量增大，损伤部分发生氧化的比例增加，而且在单晶Si基板上经过极薄的过渡区形成氧化层．
%K 二氧化碳
%K 气体离化团束
%K 硅
%K 辐照效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E4051BBB34A031FC&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=7979125BBE749348&eid=5D8C08279A19B0D4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1