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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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SiGe/Si Material Grown by GSMBE
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
ZOU De-shu, XU Chen, CHEN Jian-xin, SHI Chen, DU Jin-yu, GAO G uo, SHEN Guang-di, HUANG Da-ding, LI Jian-ping, LIN Lan- ying,
邹德恕, 徐晨, 陈建新, 史辰, 杜金玉, 高国, 沈光地, 黄大定, 李建平, 林兰英
Keywords: GSMBE,Si/SiGe HBT,double mesa structure
气态源分子束外延,Si/SiGeHBT,双台面结构
Abstract:
用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺 Full-Text
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