%0 Journal Article
%T SiGe/Si Material Grown by GSMBE<br>GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
%A ZOU De-shu
%A XU Chen
%A CHEN Jian-xin
%A SHI Chen
%A DU Jin-yu
%A GAO G uo
%A SHEN Guang-di
%A HUANG Da-ding
%A LI Jian-ping
%A LIN Lan- ying
%A <br>邹德恕
%A 徐晨
%A 陈建新
%A 史辰
%A 杜金玉
%A 高国
%A 沈光地
%A 黄大定
%A 李建平
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺
%K GSMBE
%K Si/SiGe HBT
%K double mesa structure<br>气态源分子束外延
%K Si/SiGeHBT
%K 双台面结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=565008A462E4715F&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=5D311CA918CA9A03&sid=2418F98BB0851817&eid=1F51A4E3D1D75885&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=14