含F栅介质的击穿特性研究

本文研究了ＭＯＳ结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中Ｆ离子的引入对击穿电压的影响．结果表明，击穿电压受热电子贯穿方向制约；栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系；一定量的Ｆ离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响．用一定模型解释了实验结果