%0 Journal Article
%T 含F栅介质的击穿特性研究
%A 张国强
%A 郭旗
%A 余学锋
%A 任迪远
%A 严荣良
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文研究了ＭＯＳ结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中Ｆ离子的引入对击穿电压的影响．结果表明，击穿电压受热电子贯穿方向制约；栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系；一定量的Ｆ离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响．用一定模型解释了实验结果
%K MOS
%K 含F栅介质
%K 击穿
%K 可靠性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFC7FC40FBEACE6B&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=141C24EC1980F602&eid=872F6C582A30BA57&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=4