a-Si:H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验

我们报道a-Si:H中光电导在不同光照/退火循环中和不同光照强度下随光照时间的衰减行为。利用光致亚稳缺陷产生的扩展指数规律,我们对光电导数据进行了拟合,根据拟合参数,光电导衰减的时间参数τ和弥散因子β,仔细地比较和讨论了HCR模型和DCR模型,结果表明HCR模型能够较好地解释我们的实验结果。