%0 Journal Article
%T a-Si:H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验
%A 孙国胜
%A 孔光临
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 我们报道a-Si:H中光电导在不同光照/退火循环中和不同光照强度下随光照时间的衰减行为。利用光致亚稳缺陷产生的扩展指数规律,我们对光电导数据进行了拟合,根据拟合参数,光电导衰减的时间参数τ和弥散因子β,仔细地比较和讨论了HCR模型和DCR模型,结果表明HCR模型能够较好地解释我们的实验结果。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5F7D94DA875E9833&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=94C357A881DFC066&sid=86C0C9A759FDA8CA&eid=C6EC7357BCACD3A4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0