新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制

本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新结构MCT器件，其电流关断能力分别达到114A／cm2和41A／cm2．