%0 Journal Article
%T 新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制
%A 李学宁
%A 李肇基
%A 吴世勇
%A 唐茂成
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新结构MCT器件，其电流关断能力分别达到114A／cm2和41A／cm2．
%K 晶闸管
%K MOS
%K 结构
%K 器件机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9A5C4DFC293550A0&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DB817633AA4F79B9&eid=4AD960B5AD2D111A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3