应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank－Read源的关系研究

基于能量最小近似模型，研究了应变异质结外延材料中，产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源以释放失配应力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度．对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的最小距离．计算结果与ＬｅＧｏｕｅｓ等的实验结果相符．就作者所知，计算产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时ＧｅＳｉ合金缓冲层厚度的工作，以前未见报道．