%0 Journal Article
%T 应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank－Read源的关系研究
%A 邹吕凡
%A 王占国
%A 范缇文
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 基于能量最小近似模型，研究了应变异质结外延材料中，产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源以释放失配应力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度．对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的最小距离．计算结果与ＬｅＧｏｕｅｓ等的实验结果相符．就作者所知，计算产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时ＧｅＳｉ合金缓冲层厚度的工作，以前未见报道．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7159BF1B4294A102&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=50BBDFAC8381694B&eid=6235172E4DDBA109&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0