|
|
半导体学报 2005
Facet Coatings for 808nm High-Power Semiconductor Laser Diode
|
Abstract:
用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3减反膜，结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由0.7提高到1.24)，而且可在一定范围内调节阈值电流密度，器件寿命也有很大提高．对这种方法所镀制的SiO2/TiO2膜用作808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨，认为是一种可行的方法．
