%0 Journal Article
%T Facet Coatings for 808nm High-Power Semiconductor Laser Diode<br>808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺
%A Shu Xiongwen
%A Xu Chen
%A Xu Zuntu
%A Zhu Yanxu
%A Shen Guangdi
%A <br>舒雄文
%A 徐晨
%A 徐遵图
%A 朱彦旭
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3减反膜，结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由0.7提高到1.24)，而且可在一定范围内调节阈值电流密度，器件寿命也有很大提高．对这种方法所镀制的SiO2/TiO2膜用作808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨，认为是一种可行的方法．
%K ion assisted deposition
%K threshold current density
%K differential quantum efficiency<br>离子辅助镀膜(IAD)
%K 阈值电流密度
%K 微分量子效率
%K 大功率
%K 半导体激光器
%K 光学
%K 膜工艺
%K Laser
%K Diode
%K Semiconductor
%K Coatings
%K 分析
%K 镀膜方法
%K 器件寿命
%K 阈值电流密度
%K 内调节
%K 范围
%K 外微分量子效率
%K 结果
%K 减反膜
%K 高反膜
%K 离子辅助
%K 电子束蒸发
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2A806BC5A762E67C&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=38B194292C032A66&sid=F16C0F639D87527E&eid=E406B4E9A1BA9D8C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=9