SCDI Flash Memory Device Ⅱ:Experiments and Characteristics
SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性(英文)

采用 1.2 μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入 (SCDI)快闪存储器件 ,该种器件具有良好的器件特性 .在 Vg=6 V,Vd=5 V的编程条件下 ,SCDI器件的编程速度是 4 2 μs,在 Vg=8V,Vs=8V的擦除条件下 ,SCDI器件的擦除速度是 2 4 m s.与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比 ,SCDI器件的特性得到了显著地提高 .在制作 SCDI器件的工艺中 ,关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶 ,同时减少在制作 Si3N4 侧墙的刻蚀损伤