%0 Journal Article
%T SCDI Flash Memory Device Ⅱ:Experiments and Characteristics<br>SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性(英文)
%A Ou Wen
%A Qian He
%A <br>欧文
%A 钱鹤
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用 1.2 μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入 (SCDI)快闪存储器件 ,该种器件具有良好的器件特性 .在 Vg=6 V,Vd=5 V的编程条件下 ,SCDI器件的编程速度是 4 2 μs,在 Vg=8V,Vs=8V的擦除条件下 ,SCDI器件的擦除速度是 2 4 m s.与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比 ,SCDI器件的特性得到了显著地提高 .在制作 SCDI器件的工艺中 ,关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶 ,同时减少在制作 Si3N4 侧墙的刻蚀损伤
%K SCDI
%K flash memory
%K programming speed
%K key technology<br>SCDI器件
%K 快闪存储器
%K 编程速度
%K 工艺优化
%K 关键技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6065F786DB5676A3&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=94C357A881DFC066&sid=CEFA535D01173730&eid=3054A11AD1D7E34A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=22