III-V Compound HBT Modeling
III-V族化合物HBT建模

III-V族化合物 HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征III-V族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型，并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真. 模型开发过程中对UCSD HBT模型和VBIC BJT模型进行了借鉴，但新模型不同于以上两个模型. 模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证.