%0 Journal Article
%T III-V Compound HBT Modeling<br>III-V族化合物HBT建模
%A Liu Jun
%A Sun Lingling
%A <br>刘军
%A 孙玲玲
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X III-V族化合物 HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征III-V族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型，并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真. 模型开发过程中对UCSD HBT模型和VBIC BJT模型进行了借鉴，但新模型不同于以上两个模型. 模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证.
%K III-V
%K microwave HBTs
%K large- and small-signal
%K modeling<br>III-V族
%K 微波HBT
%K 大、小信号
%K 建模
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=15257CFD0187ABA4&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=FBEA8C467B1EDA46&eid=ECE3F3ADB976FF7B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7