Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究

本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．