%0 Journal Article
%T Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
%A 徐阿妹
%A 朱海军
%A 毛明春
%A 蒋最敏
%A 卢学坤
%A 胡际璜
%A 张翔九
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DE82116B60EB8FC9&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=00B9006659EBD8AC&eid=245EE63BFE8F8B66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0