掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的ESR和光电特性的研究

本文对用电子束蒸发法制备的a-Si:Co薄膜的ESR和光学特性进行了研究.对样品的ESR信号、光学带隙和室温电导率随杂质浓度的变化关系进行了测量.结果表明,Co原子在a-Si:Co薄膜中形成受主中心,并伴随着对悬挂键的补偿;当杂质浓度小于3％时,光学带隙、自旋态密度和峰峰宽度基本不变,当杂质浓度大于3％时,随着Co含量的增加,光学带隙、自旋态密度减小,室温电导率和峰峰宽增大.本文对上述结果进行了分析和讨论.