%0 Journal Article
%T 掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的ESR和光电特性的研究
%A 陈光华
%A 张津燕
%A 甘润今
%A 张仿清
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文对用电子束蒸发法制备的a-Si:Co薄膜的ESR和光学特性进行了研究.对样品的ESR信号、光学带隙和室温电导率随杂质浓度的变化关系进行了测量.结果表明,Co原子在a-Si:Co薄膜中形成受主中心,并伴随着对悬挂键的补偿;当杂质浓度小于3％时,光学带隙、自旋态密度和峰峰宽度基本不变,当杂质浓度大于3％时,随着Co含量的增加,光学带隙、自旋态密度减小,室温电导率和峰峰宽增大.本文对上述结果进行了分析和讨论.
%K 非晶硅薄膜
%K ESR
%K 光电
%K 掺过渡金属钴
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9CE3303D4DFB9EBB&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=09D368C679EC819B&eid=A7AE820C12CC9AD3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0